第十七屆全國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)（2020’LED）

暨2020全國(guó)LED顯示應(yīng)用技術(shù)交流及產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會(huì)

聯(lián)合征文通知

各相關(guān)單位：

十九大報(bào)告指出，我國(guó)經(jīng)濟(jì)已由高速增長(zhǎng)階段轉(zhuǎn)向高質(zhì)量發(fā)展階段，而以信息技術(shù)為基礎(chǔ)的新型基礎(chǔ)設(shè)施在中國(guó)加快建設(shè)，這將為中國(guó)經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展筑牢新地基。“新基建”在加速新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換、推進(jìn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、帶動(dòng)有效投資與優(yōu)化投資結(jié)構(gòu)、加快高端人才培育及創(chuàng)新社會(huì)治理等方面作用突出，將成為我國(guó)高質(zhì)量發(fā)展新動(dòng)能。LED產(chǎn)業(yè)作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成部分和信息化和工業(yè)化融合發(fā)展的重要內(nèi)容，一直把創(chuàng)新作為引領(lǐng)發(fā)展的第一動(dòng)力，近年來LED新技術(shù)層出不窮，產(chǎn)業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)， LED將以技術(shù)提升為基礎(chǔ)，參與“新基建”建設(shè)，快速進(jìn)入高質(zhì)量發(fā)展階段，引領(lǐng)國(guó)際LED領(lǐng)域的發(fā)展。

在此前提條件下，中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)光電器件分會(huì)、發(fā)光二極管顯示應(yīng)用分會(huì)將于2020年下半年聯(lián)合舉辦“第十七屆全國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)（2020’LED）暨2020全國(guó)LED顯示應(yīng)用技術(shù)交流及產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會(huì)”。

我們希望本屆聯(lián)合舉辦的研討會(huì)能給大家?guī)砀嗟男畔⒑蜋C(jī)會(huì)。本屆會(huì)議擬組織特邀報(bào)告、大會(huì)交流、產(chǎn)業(yè)論壇和產(chǎn)品、樣品宣展等活動(dòng)。熱忱歡迎大陸和港澳臺(tái)廣大科技人員、工程技術(shù)人員和企業(yè)管理人員積極撰寫論文，到會(huì)交流，開展產(chǎn)業(yè)研討的平臺(tái)，展示新產(chǎn)品、新技術(shù)、最新研究成果、技術(shù)進(jìn)步和在應(yīng)用、開發(fā)及生產(chǎn)實(shí)踐中所取得的寶貴經(jīng)驗(yàn)和成績(jī)。

現(xiàn)將會(huì)議征文的有關(guān)事項(xiàng)通知如下：

一、征文范圍：

1、LED用襯底材料（藍(lán)寶石、硅、SiC及其它）技術(shù)和工藝研究；

2、MO源的技術(shù)研究；

3、LED外延材料制備技術(shù)研究；

4、LED芯片制造、器件封裝技術(shù)研究；

5、半導(dǎo)體照明光源的相關(guān)技術(shù)研究；

6、高效、高穩(wěn)定熒光粉技術(shù)研究；

7、LED應(yīng)用技術(shù)研究及市場(chǎng)前景分析；

8、與LED相關(guān)的光電器件技術(shù)研究；

9、LED產(chǎn)業(yè)化中的技術(shù)及相關(guān)問題；

10、LED測(cè)試技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)化、可靠性研究；

11、MOCVD設(shè)備和LED生產(chǎn)相關(guān)設(shè)備研究及發(fā)展趨勢(shì)；

12、海峽兩岸LED產(chǎn)業(yè)合作發(fā)展的探討與前景;

13、國(guó)際LED技術(shù)的發(fā)展動(dòng)態(tài)及展望；

14、LED、半導(dǎo)體照明技術(shù)、工藝的最新進(jìn)展以及發(fā)展前景等綜述類論文

15、LED企業(yè)經(jīng)營(yíng)管理和資本運(yùn)作等；

16、LED顯示應(yīng)用行業(yè)、技術(shù)國(guó)內(nèi)外發(fā)展；

17、LED顯示應(yīng)用新技術(shù)、新產(chǎn)品研究及開發(fā)成果；

18、COB、mini-LED、micro-LED顯示前沿技術(shù)探討

19、LED顯示應(yīng)用產(chǎn)品制造裝備、材料、器件；

20、LED顯示系統(tǒng)控制、視頻處理、播放系統(tǒng)及應(yīng)用

21、LED顯示產(chǎn)品質(zhì)量、可靠性、檢測(cè)、結(jié)構(gòu)和工藝；

22、LED顯示行業(yè)規(guī)范、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)；

23、其他LED/半導(dǎo)體照明、相關(guān)顯示技術(shù)及產(chǎn)品論文。

二、重要時(shí)間：

截稿日期：2020年 8月 30日

錄用通知：2020年 9 月

三、論文郵寄方式：

1、用電子郵件發(fā)送到以下郵箱（不需要郵寄打印稿）。

光電器件分會(huì)：13933157199@139.com

LED顯示應(yīng)用分會(huì)：hyxh@leds.org.cn

   2、請(qǐng)?jiān)谖暮筇峁┰敿?xì)通信地址及聯(lián)系電話，以方便聯(lián)系。

四、其它：

1、征文未在國(guó)內(nèi)外任何雜志公開發(fā)表過。

2、有關(guān)事宜可與中國(guó)光協(xié)光電器件分會(huì)秘書處或LED顯示應(yīng)用分會(huì)秘書處聯(lián)系。

聯(lián)系人：劉育青

電  話：0311-87091253，13933157199

傳  真：0311-87091358

E-mail：13933157199@139.com

聯(lián)系人：張  璐

電  話：021-52703216，13601977028

傳  真：021-52703216

E-mail：hyxh@leds.org.cn

附件一：稿件格式

                    中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)           中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)

                    光電器件分會(huì)                   發(fā)光二極管顯示應(yīng)用分會(huì)                                                                    二O二O年五月

附件一：稿件格式

      為便于編印會(huì)議論文集，文稿用word格式，以E-mail形式提交，2000字左右。要求中英文標(biāo)題、摘要、關(guān)鍵詞、作者姓名（漢拼），排列順序：標(biāo)題、作者姓名、單位、摘要、關(guān)鍵詞、正文、參考文獻(xiàn)。同時(shí)提交作者通信地址、郵編、電話及傳真。

一、論文結(jié)構(gòu)要求

1、標(biāo)題(20個(gè)字以內(nèi))、關(guān)鍵詞(5個(gè))， 作者姓名（不超過6位）、單位地址（含省、市、郵編）、摘要（以上均要求中英文）。摘要部分要求客觀反映論文的主要內(nèi)容，具有獨(dú)立性和自含性，文字不能與正文雷同，不少于250～300個(gè)字。技術(shù)文章摘要包括：目的、方法、結(jié)果和結(jié)論；綜述文章摘要包括：對(duì)所述的研究或技術(shù)發(fā)展情況進(jìn)行簡(jiǎn)要概述，該技術(shù)目前的發(fā)展水平、作者的評(píng)論及未來展望等，中、英文對(duì)照。

2、正文——字?jǐn)?shù)不限（以2000字左右為佳），語句通暢，結(jié)構(gòu)清晰，文中所提及術(shù)語及名稱等盡量為中文，所配圖表（含標(biāo)注）皆以中文表述，且圖片（黑白色）清晰。曲線圖應(yīng)去掉沒有坐標(biāo)一側(cè)的框線及底紋，物理量用符號(hào)表示，用“/” 與量綱單位隔開，如:V/V；t/ns；J/(μA?cm-2)，刻度線應(yīng)在框內(nèi)側(cè)，只保留主要刻度線。

3、參考文獻(xiàn)——按正文中出現(xiàn)的次序列于文后，如引用期刊文章格式為：[序號(hào)]主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名[文獻(xiàn)類型標(biāo)識(shí)].刊名,年,卷（期)：起止頁碼，文獻(xiàn)類型標(biāo)識(shí)為：專著[M]，論文集[C]，期刊[J]，學(xué)位論文[D]，報(bào)告[R]，標(biāo)準(zhǔn)[S]，專利[P]，工具書[K]。范例：

[1] JONES K S, PRUSSIN S, WEBER E R, et al. A systematic analysis of defects in ion-implanted silicon [J].Appl Phys A, 1988, 45(1):342-347.

[2] 白居憲.低噪聲頻率合成[M].陜西：西安交通大學(xué)出版社，1995：50-70.

[3] WEN Z M, CHOO K F. The optimum thermal of microchannel heat sinks[C]//IEEE CPMT Electronic Packaging Technology Conf. New York, USA，1997:123-129.

4、作者簡(jiǎn)介——提供最多三位作者的簡(jiǎn)介（在校生要給出導(dǎo)師簡(jiǎn)介），格式如下：姓名（出生年—），性別，（民族—漢族可省略），籍貫，職稱，學(xué)位，學(xué)歷，簡(jiǎn)歷及研究方向（任選），E-mail等，并在文后附第一作者近期一寸免冠證件照。

第一號(hào)文-分會(huì)秘書處關(guān)于數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)及續(xù)費(fèi)換證的通知.doc